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三星(Samsung)車(chē)規(guī)級(jí)貼片電容 CL05B103KB5VPNC,0402封裝 10nF ±10% 50V X7R
CL05B103KB5VPNC車(chē)規(guī)電容技術(shù)解析與應(yīng)用優(yōu)勢(shì)隨著汽車(chē)電子和便攜設(shè)備的高集成化發(fā)展,多層陶瓷電容器(MLCC) 的可靠性需求持續(xù)攀升。三星電子的CL05B103KB5VPNC&nb ...
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介 / Introduction

CL05B103KB5VPNC車(chē)規(guī)電容技術(shù)解析與應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

隨著汽車(chē)電子和便攜設(shè)備的高集成化發(fā)展,多層陶瓷電容器MLCC) 的可靠性需求持續(xù)攀升。三星電子的CL05B103KB5VPNC 作為車(chē)規(guī)級(jí)核心元件,憑借其X7R介質(zhì)材料、AEC-Q200認(rèn)證及微型化設(shè)計(jì),成為高穩(wěn)定性電路的理想選擇。

一、核心技術(shù)參數(shù)與性能優(yōu)勢(shì)

1. 電氣特性

§ 容值 10nF(10000pF),支持±10%容差范圍,平衡精度與成本需求。

§ 額定電壓 50V,覆蓋主流車(chē)載電源(12V/24V系統(tǒng))的浪涌保護(hù)需求。

§ X7R介質(zhì)材料提供寬溫穩(wěn)定性,在-55℃至125℃范圍內(nèi)容值變化率≤±15%。

2. 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

§ 0402微型封裝1.0×0.5×0.55mm),節(jié)省70%板面積,適配高密度PCB布局。

§ 軟端接技術(shù)(Soft Termination) 抑制機(jī)械應(yīng)力裂紋,提升抗振性(適用于引擎控制單元)。

3. 可靠性認(rèn)證

§ 通過(guò) AEC-Q200 車(chē)規(guī)標(biāo)準(zhǔn),滿足濕度、溫度循環(huán)及壽命測(cè)試要求。

§ 符合RoHS、無(wú)鉛標(biāo)準(zhǔn)(Lead-Free),支持環(huán)保制造流程。

二、應(yīng)用場(chǎng)景與行業(yè)適配性

· 汽車(chē)電子:用于ECU傳感器濾波、CAN總線噪聲抑制,耐受引擎艙高溫環(huán)境。

· 工業(yè)設(shè)備:在PLC模塊中實(shí)現(xiàn)電源退耦,保障信號(hào)完整性。

· 消費(fèi)電子:適配手機(jī)射頻模塊,利用低ESL特性抑制高頻干擾。

三、競(jìng)品對(duì)比與獨(dú)特價(jià)值

相較同類(lèi)X7R電容(如村田GRM155R71H103KA88D),三星CL05B103KB5VPNC提供三項(xiàng)差異化優(yōu)勢(shì):

1. 車(chē)規(guī)級(jí)驗(yàn)證AEC-Q200認(rèn)證覆蓋更嚴(yán)苛的故障率標(biāo)準(zhǔn)。

2. 成本效率:卷帶包裝10,000件起訂,單價(jià)優(yōu)化至¥0.036(萬(wàn)件規(guī)模)。

3. 供應(yīng)鏈成熟:三星原廠支持22周交期,DigiKey等渠道常備現(xiàn)貨。

四、技術(shù)演進(jìn)與未來(lái)趨勢(shì)

隨著電動(dòng)汽車(chē)電壓平臺(tái)升級(jí)(48V/800V系統(tǒng)),三星已規(guī)劃高壓衍生產(chǎn)品線。當(dāng)前CL05B103KB5VPNC的 50V耐壓設(shè)計(jì) 為過(guò)渡期提供兼容方案,其 X7R材料體系 可擴(kuò)展至100V以上容值需求。

表:CL05B103KB5VPNC關(guān)鍵參數(shù)總覽

特性

參數(shù)值

行業(yè)意義

尺寸

1.00×0.50×0.55mm (0402)

空間敏感型設(shè)計(jì)首選

絕緣電阻

10GΩ(典型值)

降低漏電流損耗2

溫度循環(huán)穩(wěn)定性

1,000次循環(huán)ΔC≤±5%

延長(zhǎng)車(chē)載設(shè)備壽命9




結(jié)語(yǔ)

三星CL05B103KB5VPNC代表車(chē)規(guī)MLCC微型化與高可靠性的技術(shù)融合。其 X7R溫漂控制、軟端接抗振結(jié)構(gòu) AEC-Q200合規(guī)性,為新能源三電系統(tǒng)、ADAS傳感器等場(chǎng)景提供底層元件保障。未來(lái),隨著介質(zhì)材料納米化發(fā)展,該平臺(tái)有望進(jìn)一步突破容壓積極限。

 

 

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