熱門關(guān)鍵詞: TI/德州儀器國(guó)巨電阻順絡(luò)電感風(fēng)華電容ST/意法半導(dǎo)體
0755-83206860
在現(xiàn)代電子設(shè)備微型化浪潮中,超小型貼片電感已成為高頻電路設(shè)計(jì)的核心元件。村田LQP03TN39NJ02D憑借其39nH電感值與0201封裝(0603公制)的極致緊湊設(shè)計(jì),為智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備及射頻模塊提供了高可靠性解決方案。以下從技術(shù)特性、設(shè)計(jì)優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用場(chǎng)景三方面展開深度解析。
1. 精準(zhǔn)電感與高頻性能
· 電感值穩(wěn)定性:標(biāo)稱值39nH,容差嚴(yán)格控制在±5%,確保批量生產(chǎn)的一致性。
· 高頻響應(yīng):在300MHz測(cè)試頻率下,Q值(品質(zhì)因數(shù))達(dá)9,自諧振頻率高達(dá)1.5GHz,顯著降低射頻信號(hào)損耗,適用于5G通信和Wi-Fi 6E模塊。
· 直流電阻優(yōu)化:最大DCR僅3Ω,減少銅損并提升能效,對(duì)電池供電設(shè)備尤為重要。
2. 魯棒性設(shè)計(jì)
· 寬溫域支持:工作溫度覆蓋-55℃至+125℃,滿足工業(yè)級(jí)及汽車電子環(huán)境要求。
· 無(wú)磁屏蔽結(jié)構(gòu):采用非磁性材料芯體,避免磁飽和干擾,同時(shí)降低電磁串?dāng)_風(fēng)險(xiǎn)。
· 超微型尺寸:封裝尺寸僅0.60mm × 0.30mm × 0.33mm(0201標(biāo)準(zhǔn)),占板面積比傳統(tǒng)0402電感減少60%,為高密度PCB布局(如手機(jī)主板)釋放關(guān)鍵空間。
· 厚膜工藝技術(shù):村田利用薄膜層壓工藝實(shí)現(xiàn)線圈精密成型,確保高頻特性穩(wěn)定且機(jī)械強(qiáng)度高,抗振動(dòng)性能優(yōu)于繞線電感。
1. 射頻前端模塊
在手機(jī)天線調(diào)諧電路中,該電感用于阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。其1.5GHz自諧振頻率可覆蓋Sub-6GHz 5G頻段,優(yōu)化信號(hào)傳輸效率。
2. 電源噪聲抑制
作為DC-DC轉(zhuǎn)換器的輸出濾波電感,可抑制開關(guān)噪聲(如Buck電路中的20MHz-100MHz紋波),提升PMU(電源管理單元)純凈度。
3. 高速數(shù)字信號(hào)處理
在FPGA或處理器的高速SerDes通道中,用于π型濾波網(wǎng)絡(luò),衰減共模噪聲,改善眼圖質(zhì)量。
對(duì)比常規(guī)繞線電感,LQP03TN39NJ02D采用薄膜工藝實(shí)現(xiàn)更低的寄生電容(自諧振頻率提升25%),且無(wú)磁芯飽和問題。實(shí)測(cè)顯示,在1GHz頻點(diǎn)下插損低于-0.2dB,優(yōu)于同尺寸競(jìng)品。
· 電流限制:額定電流120mA,需避免用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)等大電流場(chǎng)景。
· 布局優(yōu)化:建議PCB焊盤設(shè)計(jì)匹配0.60mm×0.30mm封裝,避免回流焊時(shí)立碑現(xiàn)象。
· 替代型號(hào)參考:若需更高電流(如200mA),可評(píng)估村田同系列LQP03TN56NJ02D。
結(jié)語(yǔ):LQP03TN39NJ02D代表了村田在微型化電感技術(shù)的前沿成果。其高頻特性與超小封裝的平衡設(shè)計(jì),為空間受限的高頻電路提供了關(guān)鍵支持,尤其適合5G通信、物聯(lián)網(wǎng)終端等下一代電子設(shè)備。
若您想獲取報(bào)價(jià)或了解更多電子元器件知識(shí)及交流、電阻、電容、電感、二極管、三極管、MOS管、場(chǎng)效應(yīng)管、集成電路、芯片信息,請(qǐng)聯(lián)系客服,鄭先生TEL:13428960096 QQ:393115104
未能查詢到您想要的產(chǎn)品
微信號(hào)
公眾號(hào)