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15V/30V 500mA PPTC自恢復(fù)保險絲 SMD1812B050TF 表面貼裝型
技術(shù)詳解:SMD1812B050TF PPTC自恢復(fù)保險絲在現(xiàn)代電子電路中,過流保護(hù)元件的可靠性直接關(guān)系到設(shè)備的安全性和壽命。SMD1812B050TF作為一款聚合物正溫度系數(shù)(PPTC)自恢復(fù)保險絲 ...
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產(chǎn)品簡介 / Introduction

技術(shù)詳解:SMD1812B050TF PPTC自恢復(fù)保險絲

在現(xiàn)代電子電路中,過流保護(hù)元件的可靠性直接關(guān)系到設(shè)備的安全性和壽命。SMD1812B050TF作為一款聚合物正溫度系數(shù)(PPTC)自恢復(fù)保險絲,憑借其快速響應(yīng)、自動復(fù)位特性,成為消費(fèi)電子、電源管理、通信設(shè)備等領(lǐng)域的核心保護(hù)元件。以下是其技術(shù)深度解析:

1. 核心工作原理與性能優(yōu)勢

PPTC保險絲利用聚合物基材的正溫度系數(shù)效應(yīng)實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能。當(dāng)電流正常時(≤500mA),其內(nèi)部晶格結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,電阻維持低值(典型值150mΩ)。一旦發(fā)生過流(≥1A)或溫度超標(biāo),聚合物材料晶格膨脹并分離導(dǎo)電粒子,電阻急劇躍升至1Ω以上,從而切斷電路。故障排除后,材料冷卻收縮,導(dǎo)電通道重建,器件自動復(fù)位。
關(guān)鍵性能指標(biāo)包括:

· 超快動作時間150ms內(nèi)完成跳斷,有效抑制浪涌電流。

· 高耐受電流:瞬時最大電流承載能力達(dá)100A,應(yīng)對極端短路。

· 寬溫域操作-40°C~85°C范圍內(nèi)性能穩(wěn)定,適應(yīng)工業(yè)級環(huán)境。

2. 電壓規(guī)格與型號差異

SMD1812B050TF系列提供兩種電壓版本:

· 15V型號:厚度1.25mm,適用于低壓場景如USB端口、電池管理模塊。

· 30V型號:厚度增至2.10mm,滿足工業(yè)電源、車載設(shè)備等中壓需求。
注:兩者保持電流(500mA)與跳斷電流(1A)一致,但30V型號的絕緣層和材料配方優(yōu)化以承受更高電場強(qiáng)度。

3. 封裝設(shè)計與兼容性

采用1812(4532公制)凹陷型封裝,其設(shè)計兼顧機(jī)械強(qiáng)度與熱管理:

· 焊盤優(yōu)化:凹槽結(jié)構(gòu)增加焊錫接觸面積,提升PCB貼裝牢固性。

· 熱傳導(dǎo)路徑:金屬電極層直接連接聚合物核心,加速熱量散發(fā),避免局部過熱失效。

· 兼容性:符合IEC 60191標(biāo)準(zhǔn),兼容回流焊工藝(峰值溫度≤260°C)。

4. 應(yīng)用場景實(shí)例

· 消費(fèi)電子:手機(jī)充電口的過流保護(hù),防止Type-C接口短路導(dǎo)致主板燒毀。

· IoT設(shè)備:傳感器模塊的微功耗設(shè)計依賴其低初始電阻(150mΩ),減少壓降損耗。

· 電源模塊30V型號用于DC-DC轉(zhuǎn)換器輸出端,抑制啟動浪涌。

5. 認(rèn)證與可靠性

通過cUL、TUV、UL多重安全認(rèn)證,符合IEC 60950標(biāo)準(zhǔn)。REACH無鉛認(rèn)證確保環(huán)保兼容性。壽命測試顯示在500次跳斷循環(huán)后,電阻恢復(fù)率仍>90%,遠(yuǎn)高于行業(yè)平均水平。

表:SMD1812B050TF關(guān)鍵參數(shù)對比

參數(shù)

15V型號

30V型號

保持電流(Ih)

500mA

500mA

跳斷電流(It)

1A

1A

初始電阻(Ri)

≤150mΩ

≤150mΩ

跳斷后電阻(R1)

≥1Ω

≥1Ω

動作時間

≤150ms (1A電流)

≤150ms (1A電流)

工作溫度

-40°C~85°C

-40°C~85°C

厚度

1.25mm

2.10mm

典型應(yīng)用

便攜設(shè)備/USB接口

工業(yè)電源/車載系統(tǒng)

6. 技術(shù)發(fā)展趨勢

新一代PPTC保險絲正向更低內(nèi)阻、更高電壓演進(jìn)。例如,Brightking的SMD1812B050TF/30型號已支持30VDC,功耗降至800mW,契合電動車48V系統(tǒng)需求。同時,納米摻雜技術(shù)進(jìn)一步將初始電阻壓縮至100mΩ以下,提升能效比。

 

 

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