熱門關(guān)鍵詞: TI/德州儀器國(guó)巨電阻順絡(luò)電感風(fēng)華電容ST/意法半導(dǎo)體
0755-83206860
隨著電子設(shè)備向小型化、高集成度發(fā)展,電路保護(hù)元件的可靠性和空間效率成為關(guān)鍵設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。SMD1812B200TFT作為一款聚合物正溫度系數(shù)(PPTC)自恢復(fù)保險(xiǎn)絲,憑借其緊湊封裝、精準(zhǔn)過流響應(yīng)和自動(dòng)恢復(fù)特性,已成為消費(fèi)電子、電源模塊及電池管理系統(tǒng)的首選保護(hù)方案。以下從核心技術(shù)參數(shù)、機(jī)械設(shè)計(jì)、應(yīng)用場(chǎng)景三方面展開分析。
1. 動(dòng)態(tài)過流保護(hù)機(jī)制:
§ 保持電流(Ih):穩(wěn)態(tài)運(yùn)行允許的最大電流為2A,確保設(shè)備正常工作時(shí)保險(xiǎn)絲不觸發(fā)。
§ 跳閘電流(It):當(dāng)電流達(dá)到3.5A時(shí),保險(xiǎn)絲在2秒內(nèi)快速動(dòng)作,阻值從初始值(≤20mΩ)躍升至跳閘后最大值(70mΩ–75mΩ),切斷故障電路。
§ 電壓兼容性:提供8V(HT標(biāo)準(zhǔn)版) 和16V(國(guó)巨升級(jí)版) 雙版本,適配不同電平系統(tǒng)。
2. 低功耗與高可靠性設(shè)計(jì):
§ 初始電阻僅20mΩ(最小值),通態(tài)損耗極低,減少系統(tǒng)發(fā)熱。
§ 工作溫度范圍覆蓋-40℃~85℃,適應(yīng)工業(yè)及戶外環(huán)境需求。
§ 通過cUL、TUV、UL認(rèn)證,滿足安規(guī)要求。
表:關(guān)鍵電氣參數(shù)對(duì)比
1. 空間適應(yīng)性:
§ 采用1812(4532公制) 封裝,尺寸僅4.55mm×3.24mm,貼裝高度≤1.25mm(HT版)或2.0mm(國(guó)巨版),兼容高密度PCB布局。
§ 凹陷式結(jié)構(gòu)增強(qiáng)散熱效率,允許持續(xù)功耗800mW,避免熱失效。
2. 自動(dòng)化生產(chǎn)兼容性:
§ 卷帶(TR)包裝支持SMT貼片機(jī)高速貼裝,最小包裝量2000件,適配批量生產(chǎn)需求。
1. 便攜設(shè)備電源保護(hù):
§ 在USB PD快充模塊中,串聯(lián)于VBUS線路,防止短路或過載導(dǎo)致的電源IC損壞。例如,當(dāng)移動(dòng)設(shè)備充電電流異常超過3.5A時(shí),保險(xiǎn)絲在2秒內(nèi)觸發(fā),故障排除后自動(dòng)恢復(fù)。
2. 電池管理系統(tǒng)(BMS):
§ 用于鋰電包輸出端,配合MOSFET構(gòu)成二級(jí)保護(hù)。其100A最大耐受電流可承受瞬間短路沖擊,而70mΩ跳閘后電阻有效隔離故障單元,避免熱失控。
3. 工業(yè)控制板冗余防護(hù):
§ 在PLC I/O模塊中,為傳感器供電通道提供過流備份保護(hù)。其-40℃低溫啟動(dòng)特性確保嚴(yán)寒環(huán)境可靠性,優(yōu)于傳統(tǒng)熔斷保險(xiǎn)絲。
盡管SMD1812B200TFT已停產(chǎn)部分衍生型號(hào)(如國(guó)巨16V版),但其核心規(guī)格仍被多品牌兼容:
· 電壓升級(jí)需求:優(yōu)先選用YAGEO的SMD1812B200TF/16(16V/75mΩ);
· 成本敏感場(chǎng)景:HT標(biāo)準(zhǔn)版(8V/70mΩ)在低電壓系統(tǒng)中具價(jià)格優(yōu)勢(shì),10件單價(jià)僅¥0.38。
總結(jié):SMD1812B200TFT系列通過精準(zhǔn)的電流閾值控制、毫歐級(jí)低損耗及表面貼裝友好性,解決了緊湊電子設(shè)備中保護(hù)元件的空間與效能矛盾。未來,隨著工業(yè)設(shè)備輕量化趨勢(shì)深化,此類高集成PPTC保險(xiǎn)絲將逐步替代分立式保護(hù)方案,成為電路安全設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)配置。
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