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您的位置: 巨優(yōu)電子 > 電容器 > 太誘(TAIYO)EMK212BC6226MG-TT 22μF 16V X6S 0805貼片陶瓷電容

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太誘(TAIYO)EMK212BC6226MG-TT 22μF 16V X6S 0805貼片陶瓷電容
技術(shù)參數(shù)詳解核心電氣性能EMK212BC6226MG-TT屬于TAIYO YUDEN的M系列多層陶瓷電容(MLCC),具備22μF±20%標(biāo)稱容值,16V直流額定電壓。采用X6S溫度系數(shù)材質(zhì),在-55 ...
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介 / Introduction

技術(shù)參數(shù)詳解

核心電氣性能

EMK212BC6226MG-TT屬于TAIYO YUDEN的M系列多層陶瓷電容(MLCC),具備22μF±20%標(biāo)稱容值,16V直流額定電壓。采用X6S溫度系數(shù)材質(zhì),在-55℃至105℃工作溫度范圍內(nèi)保持電容穩(wěn)定性,容值變化率控制在±22%以內(nèi)。該特性使其適應(yīng)工業(yè)級(jí)寬溫環(huán)境,如汽車(chē)電子艙內(nèi)高溫場(chǎng)景或戶外設(shè)備低溫啟動(dòng)需求。

機(jī)械結(jié)構(gòu)與封裝

器件采用標(biāo)準(zhǔn)0805(2012公制)封裝,物理尺寸為2.00mm×1.25mm,最大厚度1.45mm,符合行業(yè)通用貼裝規(guī)格。端電極采用鎳/錫鍍層結(jié)構(gòu),兼容無(wú)鉛回流焊工藝(RoHS認(rèn)證)。緊湊設(shè)計(jì)支持高密度PCB布局,尤其適用于空間受限的模塊化電源設(shè)計(jì),如GPU供電模組或服務(wù)器主板POL轉(zhuǎn)換器。

材料技術(shù)與可靠性

X6S介質(zhì)材料基于改性BaTiO3陶瓷體系,通過(guò)鈦酸鋇晶格摻雜優(yōu)化介電常數(shù)與溫度線性度。相比Y5V材質(zhì),X6S在高溫下容值衰減率降低40%以上。內(nèi)電極采用賤金屬鎳(Ni)技術(shù),避免貴金屬遷移導(dǎo)致的早期失效,配合太誘特有的端面緩沖層結(jié)構(gòu),有效抑制溫度循環(huán)裂紋擴(kuò)展。

典型應(yīng)用場(chǎng)景

· 開(kāi)關(guān)電源濾波:作為SMPS輸出級(jí)LC濾波電容,抑制10kHz~1MHz頻段紋波噪聲

· DC/DC轉(zhuǎn)換器:用于Buck電路輸入/輸出電容組,提供瞬態(tài)電流補(bǔ)償

· 去耦網(wǎng)絡(luò):配合0.1μF高頻電容組成復(fù)合去耦方案,覆蓋全頻段阻抗需求

· 新能源設(shè)備:光伏逆變器輔助電源、車(chē)載充電機(jī)控制板

競(jìng)品對(duì)比優(yōu)勢(shì)

與同類(lèi)0805封裝22μF電容相比,EMK212BC6226MG-TT的16V耐壓規(guī)格顯著高于常規(guī)6.3V型號(hào)(如JMK212BC6226MG-T)。在105℃滿負(fù)荷老化測(cè)試中,其ESR值穩(wěn)定在18mΩ以下,較競(jìng)品低約15%,有效降低高頻工況下的自發(fā)熱效應(yīng)。

生產(chǎn)與質(zhì)保信息

器件采用太誘日本富士工廠全自動(dòng)流延成型工藝,內(nèi)部層疊達(dá)200層以上,層厚控制在1.2μm±0.3μm。出廠執(zhí)行AEC-Q200等效可靠性驗(yàn)證,包括85℃/85%RH溫偏試驗(yàn)、1000次溫度循環(huán)(-55℃?105℃)及機(jī)械剪切力測(cè)試,確保批量一致性。

 

 

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