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STF26NM60N N溝道MOSFET功率晶體管
主要特性包括:低導(dǎo)通電阻: 硅襯底技術(shù)和優(yōu)化的溝道設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,有效降低功率損耗。高速開關(guān)特性: 快速響應(yīng)時(shí)間和低開關(guān)損耗,支持高頻率運(yùn)行。優(yōu)化的熱管理: 設(shè)計(jì)有利于熱分布和散熱,提高器件的可 ...
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產(chǎn)品簡介 / Introduction

主要特性包括:

  • 低導(dǎo)通電阻: 硅襯底技術(shù)和優(yōu)化的溝道設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,有效降低功率損耗。

  • 高速開關(guān)特性: 快速響應(yīng)時(shí)間和低開關(guān)損耗,支持高頻率運(yùn)行。

  • 優(yōu)化的熱管理: 設(shè)計(jì)有利于熱分布和散熱,提高器件的可靠性和長期穩(wěn)定性。2024062507267_56301

  • 廣泛的應(yīng)用適用性: 適用于電源管理、功率放大、馬達(dá)控制和其它需要高效率功率轉(zhuǎn)換的電子設(shè)備和系統(tǒng)。

STF26NM60N的品牌制造商采用先進(jìn)的生產(chǎn)工藝和嚴(yán)格的質(zhì)量控制標(biāo)準(zhǔn),確保每一顆器件都具備卓越的性能和可靠性。無論是工業(yè)自動(dòng)化、電力電子、還是消費(fèi)電子,STF26NM60N都是一個(gè)理想的選擇,能夠滿足多樣化的功率管理需求。

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